这张图片展示了由MESA+研究机构的科学家们所开发的特殊三维掩膜层如何使硅晶片两侧同时形成图案。

荷兰特文特大学MESA+研究所的科学家们开发了一种新的制造方法，用于创建三维(3D)纳米结构，可被用于光捕获光子晶体的大规模生产。

这项发现也使制备附加功能的芯片成为可能，用于移动设备、电脑和其他应用。研究人员们的发现被发表在《Nanotechnology》期刊。

传统制备三维纳米结构的方法包括在硅片上叠加层。第一步是使用掩膜层和紫外线在光刻胶上描绘(或定义)图案；然后通过蚀刻或沉淀材料，用光刻胶逐层复制图案。

许多层堆积起来形成芯片，是一个具有局限性的复杂工艺。在可堆叠层数上有限制，因为远处的堆栈层可能会彼此之间出现随机性错位，干扰芯片的功能。

新方法能够实现利用单步方法在芯片上定义三维纳米结构。由复杂光子系统集团(COPS)Willem Vos领导的MESA+研究所科学家团队，已开发出一种特别的三维掩膜层，可在硅晶片两侧同时定义图案。这样可确保两侧的芯片整齐排列，从而保证制成的三维纳米结构垂直方向对齐。当开发新型光子晶体时，Vos和他的同事发现了这种新方法。

这种方法有可能实现芯片的大规模生产，使芯片的各种功能定位更紧密。科学家们正在研究实践这项技术的方法。在医学领域有一些潜在的应用；例如，通过使蛋白质光学传感器与数据处理芯片和磁性存储相结合。“我们的方法能够让芯片实现许许多多的功能，如电子器件、光学器件、磁体和微流体，”Vos解释说。

新材料在线编译整理——翻译：Grubby     校正：摩天轮