GRAPES研究中心获得 NSF 许可研究半导体氮化镓
一个来自阿肯色大学GRid-connected Advanced Power Electronic Systems Center (GRAPES)的研究团队,被奖励了20万美元,用以分析模拟氮化镓器件。这支团队是由该中心的主任,杰出的电子工程教授Alan Mantooth所领导的。

(半导体氮化镓为LiDAR系统的快速转换和超级分辨率作出贡献,可以用来快速公国脉冲激光创建三维图形或地图。图片来源: Toby Minear, U.S. Geological Survey)
GRAPES研究人员参与了寻找加快其在电力电子上的应用的办法,并最终纳入电网的方式。这样成本对于消费者可以被最小化,如果这些设备升级,大大减小碳排放是可能的。
GaN是一种半导体材料,其具有硬度和机械稳定性。它的功能包括热导性和高热容量。这些特征可以制造很多比硅更容易处理更高的温度、电压和开关频率的器件,而硅是目前用于功率器件的最流行的材料。
然而,这些新设备不是那么容易被接受的,因为没有高品质的模型电路仿真可用于创新评估,并将其与成熟的硅技术进行比较。由于大多数电路设计都是使用仿真使用计算机程序进行的,缺少这些模型会使其难以进行电路设计,以精确代表氮化镓器件真正运行的模式。
现在,这些资金将帮助研究人员开发紧凑模式的氮化镓功率器件,并有助于评估其可行性。电路设计人员可以利用这些紧凑型模型,在分派进行生产制造之前,来模拟其设计的运作和行为。
这些模型的另一个主要优点是,它们可以在电力电子应用中,其中几种自然世界的情况可以使用安全的方式进行测试。此外,它使得进行统计和错误模式的评价成为可能,否则将很难进行。
新材料在线编译整理——翻译:Gary 校正:摩天轮
- 上一篇 >发行规模大增 2022年绿色债券市场扩容可期2022-02-17
- < 下一篇将二氧化碳转化为绿色能源电池2016-03-07

