诸如氮化镓等宽能带半导体材料可广泛应用于光学设备，例如蓝色LED，也可以作为下一代能量存储材料用于能量储存设备或者太阳能电池中。然而，氮化镓晶体的质量并不能和传统的半导体材料相提并论，例如硅等，这也使得GaN不能广泛用于电源设备中。基于这个原因，开发可制备高质量的晶体技术则是非常重要的，且新的评价技术也非常关键。

由IwaoKawayama带领的科研团队在与屏幕控股有限责任公司的合作中成功开发了GaN晶体表面缺陷可视化技术，可通过激光太赫兹发射显微镜（LTEM）来观察表面缺陷浓度。该小组的发现表明LTEM作为一种新的评估宽能带半导体方法，有望为下一代光学装置、超高频设备和能量装置的发展带来很大的突破。该小组通过LTEM来检测THz产生的强度分布，中THz是由飞秒激光脉冲在GaN晶体表面的紫外辐射产生的。通过这种方式，我们可以发现材料表面的一些THz的高强度区域和低强度区域。

除此之外，当LTEM的图像和通过创痛荧光光谱法获得的图像相比，通过LTEM获得的图像可纠正由于晶体缺陷和THz浓度分布不均所产生的偏差。不仅如此，通过分析该技术的测量结果，我们知道THz需要发射成功，能量比能带宽度更大的激光是必不可少的。该研究发表在《科学报告》杂志上。

新材料在线编译整理——翻译：杨超     校正：摩天轮