上周威斯康辛大学宣布，研究人员已发现一种石墨烯带的制备方法，石墨烯带生长在锗半导体晶片上，具备理想的半导体性质。这可使制造商在混合集成电路中使用超窄石墨烯带，将提高未来电子设备的性能。

在这项研究之前，科学家们使用光刻技术努力把石墨烯变成纳米带。为了在半导体应用中使用石墨烯的电特性，研究者必须做出只有10纳米宽的纳米带。纳米带还需要具有光滑的良好的“扶手椅”型边缘，其中碳-碳键与纳米带长度方向平行。

研究人员通过一种“自下而上”的技术克服了这些障碍，通过化学气相沉积工艺在锗晶片上生长完美尺寸的纳米带。在这种方法中，科学家们将甲烷吸收到锗表面。然后甲烷分解形成碳氢化合物，并在表面相互反应形成石墨烯。

“我们发现当石墨烯生长在锗表面时，它自然形成带有非常光滑的扶手椅型边缘的纳米带，”这项研究的作者兼威斯康辛大学教授的Michael Arnold解释道。“宽度可以非常非常的得狭窄，带的长度可以非常长，所以利用这项技术，我们想要的所有石墨烯带的理想特性都会自动出现。”

除了传统的电子产品，该技术也在工业和军事领域有特定的应用，如检测特定化学和生物物种的传感器和操纵光的光子设备。

新材料在线编译整理——翻译：Grubby     校正：摩天轮