9 月 15 日消息　高通今日宣布，其子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 已经正式推出下一代快速充电技术Qualcomm® Quick Charge™ 3.0（简称 Quick Charge 3.0，下同），比目前主流中高端手机上的 Quick Charge2.0 拥有更快的充电速度和更低的功率损耗。

据介绍，高通第三代快充方案 Quick Charge 3.0 首次采用了“最佳电压智能协商（Intelligent Negotiation forOptimum Voltage，INOV）”算法，可让设备具备自行选择所需功率电平的能力，从而在任意时刻都能实现最佳的功率传输，进一步保护电池的使用寿命。

最新的 Quick Charge 3.0 在充电速度上相比 Quick Charge 2.0 快了 27%、是 Quick Charge 1.0 的两倍，约 35 分钟即可将一部典型的手机从零电量充电至 80%，同时功率损耗降低了至少 45%，整体效率比 Quick Charge 2.0 提升了 38%。作为对比，不具备 Quick Charge 的传统移动终端从零电量充电至 80% 通常需要大致一个半小时的时间。

此外，Quick Charge 3.0 还在 QuickCharge 2.0 的基础上带来了增强了电压选项的灵活性，后者提供 5V、9V、12V 和 20V 四档充电电压，而 Quick Charge 3.0 则以 200mV 增量为一档，提供从 3.6V 到 20V 电压的多档选择。

不仅如此，Quick Charge 3.0 还能够与Quick Charge 之前的版本及连接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，充电速度不打折扣。已经确认支持 Quick Charge 3.0 的首批处理器包括骁龙820/620/618/617/430，覆盖中高端产品，终端将于明年上市。