东京大学、东京工业大学和越南胡志明师范大学，首次生长出可在室温下工作的铁掺杂铁磁性半导体。这是物理学中一个长期存在的限制。掺杂是将杂质原子添加到半导体晶格中，以改善电学结构和性能。铁磁半导体因具备利用半导体器件中电子的自旋自由度改善器件性能的潜力而受到重视。